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Samsung produrrā lo Snapdragon 820 di Qualcomm con il nodo FinFET LPP

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14.01.2016 - Samsung produrrā lo Snapdragon 820 di Qualcomm con il nodo FinFET LPP
Samsung ha annunciato ufficialmente che č partita la produzione in volumi dei chip mediante il processo FinFET a 14nm di seconda generazione, anche indicato con l'acronimo di LPP (Low-Power Plus).

Samsung ha colto l'occasione per sottolineare la competitivitā dell'azienda nell'ambito della fabbricazione dei chip con la tecnologia FinFET, facendo notare che nel primo trimestre del 2015 č stato lanciato il SoC Exynos 7 Octa, ovvero il primo prodotto realizzato con il processo FinFET a 14nm di prima generazione, o LPE (Low-Power Early).

Nell'anno corrente sarā invece la volta del SoC proprietario Exynos 8 Octa e dello Snapdragon 820 di Qualcomm, entrambi definibili come soluzioni di fascia alta per gli smartphone di nuova generazione, che hanno nella fabbricazione con la tecnologia 14nm FinFET LPP uno dei principali punti di forza.

Quest'ultima č caratterizzata, tra l'altro, dall'impiego dei transitor 3D, i quali consentono di ridurre la dimensione dei chip, da un lato, e di aumentare e prestazioni a fronte di una riduzione del consumo di potenza, dall'altro.



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