Samsung Electronics ha reso noto di aver avviato, a partire dalla parte finale del mese di Novembre, la produzione del primo lotto di chip di memoria NAND flash a 3-bit, caratterizzati da una architettura multi-level-cell (MLC), mediante il processo di fabbricazione a 30nm.

In base al comunicato del produttore, i chip saranno impiegati per la realizzazione di controller NAND a 3-bit e questi ultimi saranno a loro volta utilizzati per la produzione di memory card di tipo micro Secure Digital (microSD) aventi una capacità pari a 8 gigabyte (8GB).

In accordo a Soo-In Cho, vice presidente esecutivo di Samsung, i nuovi chip NAND a 3-bit proposti dalla sua azienda saranno in grado di garantire, rispetto alle attuali soluzioni a 2-bit, una riduzione dei costi per il consumatore e, in ultima analisi, la diffusione di device di storage aventi una elevata densità per la memorizazzione dei dati.